基于MasterGaN＆reg; reg的创新优势，意法半导体（STMicroelectronics）平台推出了MasterGaN2，这是新系列的双非对称氮化镓（GaN）晶体管系列的首款产品，该GaN集成适用于软开关有源钳位反激拓扑解决方案。
两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻（RDS（on））分别为150mΩ和225mΩ。
每个晶体管都集成了优化的栅极驱动器，从而使GaN晶体管像普通硅器件一样方便且易于使用。
MasterGaN2集成了GaN的高级驱动功能和固有的性能优势，可以进一步增强拓扑电路（例如有源钳位反激式转换器）的高能效，小尺寸和轻巧的优势。
MasterGaN功率级封装（SiP）系列在同一封装中集成了两个GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和支持高压栅极驱动器，并内置了所有必要的保护功能。
设计人员可以轻松地将霍尔传感器和外部器件（例如DSP，FPGA或微控制器）直接连接到MasterGaN器件。
输入与3.3V-15V逻辑信号兼容，有助于简化电路设计和物料清单，允许使用更小的电路板，并简化产品安装。
该集成解决方案有助于提高适配器和快速充电充电器的功率密度。
GaN技术正在推动USB-PD适配器和智能手机充电器向快速充电的发展。
ST的MasterGaN器件可使这些充电器的尺寸减小80％，重量减小70％，而充电速度是普通硅基解决方案的三倍。
内置保护功能包括高端和低端欠压锁定（UVLO），栅极驱动器互锁，专用停机引脚和过热保护。
9mm x 9mm x 1mm GQFN是为高电压应用而优化的封装，高低焊盘之间的爬电距离超过2mm。
MasterGaN2现在已开始量产。
